机译:超薄硅钝化层对n-GaAs衬底上RF溅射HfYO_x界面性能的影响
Department of Electronics and ECE, Indian Institute of Technology, Kharagpur 721 302, India Institute of Radiophysics and Electronics, University of Calcutta, 92 A P C Road, Kolkata 700 009,India;
Institute of Radiophysics and Electronics, University of Calcutta, 92 A P C Road, Kolkata 700 009,India;
Department of Electronics and ECE, Indian Institute of Technology, Kharagpur 721 302, India;
机译:通过有效的Si钝化,在n-GaAs上改善了射频溅射HfAIO_x的电学和界面特性
机译:具有硅/锗界面钝化层的n-GaAs衬底上的金属栅HfO_2金属氧化物半导体电容器
机译:InP衬底上原子层沉积HfO2薄膜的超薄ZnS和ZnO界面钝化层
机译:通过湿化学制备超薄SiOx钝化层来降低晶体硅太阳能电池基板上的界面缺陷密度
机译:对具有薄界面钝化层的III-V衬底上基于二氧化ha的MOSCAP和MOSFET的研究
机译:通过插入La2O3钝化层改善高k / Ge MIS结构的界面性质
机译:原子层沉积HFO2薄膜界面层对Au / Ti / N-Ga-GaAs Schottky二极管电性能的影响
机译:基板温度,偏压,退火和Cr sub 3 si sub 2底涂层对射频溅射mos sub 2涂层摩擦学性能的综合影响的统计研究