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【2h】

Effect of Atomic Layer Deposited HfO2 thin Film Interfacial Layer on the Electrical Properties of Au/Ti/n-GaAs Schottky Diode

机译：原子层沉积HFO2薄膜界面层对Au / Ti / N-Ga-GaAs Schottky二极管电性能的影响

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作者
Dilber Esra YILDIZ; A. Karabulut; I. Orak; A. Türüt;
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年度 2021
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