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Finite Element Analysis Of Conical, Dome And Truncated Inas Quantum Dots With Consideration Of Surface Effects

机译:考虑表面效应的圆锥形,圆顶形和截断的Inas量子点的有限元分析

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摘要

Surface effects on conical, dome and truncated InAs quantum dots (QDs) grown on GaAs (001) substrate are quantitatively analyzed with the finite element method (FEM) taking into account the surface energy. It is found that surface effects hinder island formation and arouse changes in strain fields of QDs. According to the minimum potential energy theory, the shape transition from conical island to dome island at a certain critical point is interpreted. We conclude that conical QD or truncated QD are transitional shapes at early stages while dome QD is the mature shape in this case.
机译:考虑到表面能,使用有限元方法(FEM)定量分析了生长在GaAs(001)衬底上的圆锥形,圆顶形和截断的InAs量子点(QD)上的表面效应。发现表面效应阻碍了岛的形成并引起量子点应变场的变化。根据最小势能理论,解释了在某个临界点从圆锥形岛到圆顶形岛的形状转变。我们得出结论,圆锥形QD或截短的QD在早期是过渡形状,而圆顶QD在这种情况下是成熟的形状。

著录项

  • 来源
    《Semiconductor science and technology》 |2009年第2期|p.29-32|共4页
  • 作者

    Hui She; Biao Wang;

  • 作者单位

    Guangdong Provincial Academy of Building Research, 121 Xian Lie East Road, Guangzhou, 510500, People's Republic of China;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 无线电电子学、电信技术;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 01:31:55

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