机译:在(1120)取向的CdZnO / MgZnO量子阱中以360-400 nm发射的光增益特性
Department of Electronics Engineering, Catholic University of Daegu, Hayang, Kyeongsan, Kyeongbuk 712-702, Korea;
Department of Electrical and Computer Engineering, University of Seoul, Seoul 130-743, Korea;
Wooree LST Corporation, Ansan-shi, Kyungki-do 425-833, Korea;
机译:CdZnO / CdZnO / MgZnO量子阱激光器中的能带结构和光学增益
机译:CdZnO / CdZnO / MgZnO量子阱激光器中的能带结构和光学增益
机译:Li:CdZnO / ZnMgO量子阱激光器中光学增益的增强
机译:Cdzno / Znmgo量子井激光器中的许多身体光学增益
机译:增强氮化物发光二极管和激光二极管的内部量子效率和光学增益。
机译:适用于深紫外发射器的大光学增益AlInN-Delta-GaN量子阱
机译:通过P型MGZNO电子阻挡层增强MgZnO / ZnO多量子阱发光二极管的紫外线发光二极管
机译:基于光泵浦半导体量子阱中子带间跃迁的太赫兹光学增益:相干泵浦探针相互作用