机译:使用栅极隧穿泄漏的解析模型研究UTB SOI MOSFET的潜在高k电介质
Departament d'Enginyeria Electronica, Electrica i Automatica, Universitat Rovira i Virgili, Spain;
Departament d'Enginyeria Electronica, Electrica i Automatica, Universitat Rovira i Virgili, Spain;
Section de Electronica del Estado Solido, Departamento Ingenieria Electrica, CINVESTAV-D.F,Mexico;
Section de Electronica del Estado Solido, Departamento Ingenieria Electrica, CINVESTAV-D.F,Mexico;
Section de Electronica del Estado Solido, Departamento Ingenieria Electrica, CINVESTAV-D.F,Mexico;
Departament d'Enginyeria Electronica, Electrica i Automatica, Universitat Rovira i Virgili, Spain;
机译:用于确定22 nm节点双栅极SOI MOSFET中足够的高k电介质的栅极隧穿泄漏的分析模型
机译:UTB SOI MOSFET中背栅对栅极感应的漏极泄漏和栅极电流的影响的建模
机译:凹陷的源极/漏极UTB SOI MOSFET的前,后栅极电位分布和阈值电压的分析模型
机译:栅极隧穿泄漏的分析模型,用于确定22 nm双栅极SOI MOSFET中足够的高K电介质
机译:基于Hafnium的高k栅极电介质MOSFET的1 / F噪声及造型评论
机译:具有高k La2O3 / ZrO2栅极电介质的肖特基势垒SOI-MOSFET
机译:具有高K介质的深亚微米mOsFET中直接隧穿栅极电流和栅极电容的建模。