机译:平面双栅MOSFET中的数值直流自热
IUMA, Institute for Applied Microelectronics, Universidad de Las Palmas de Gran Canada, Edificio de Electronica y Telecomunicacion, Campus Universitario de Tafira, 35017, Las Palmas, Spain;
Departament d'Enginyeria Electr6nica, Elèctrica i Automatica, Universitat Rovira i Virgili, Escola Tecnica Superior d'Enginyeria, Av. Dels Paisos Catalans, 26,43007, Tarragona, Spain;
Departament d'Enginyeria Electr6nica, Elèctrica i Automatica, Universitat Rovira i Virgili, Escola Tecnica Superior d'Enginyeria, Av. Dels Paisos Catalans, 26,43007, Tarragona, Spain;
Solid-State Electronics Section, CINVESTAV, Av. IPN 2508,07360, Mexico D.F., Mexico;
机译:通过键合用于22-nm节点的自对准平面双栅极MOSFET,具有金属栅极,高kappa $电介质和金属源极/漏极
机译:平面双栅极MOSFET中栅极失准引起的源极/漏极不对称效应的研究
机译:纳米级对称,非对称和独立双栅极MOSFET的数值电子迁移率模型
机译:三重自对准平面双栅极MOSFET:器件和电路
机译:双栅极MOSFET的紧凑模型。
机译:首要原理的砷和锑双栅极MOSFET的性能
机译:3-D数值模拟对无连接双栅MOSFET重离子照射的敏感性的研究