机译:用X射线技术研究MOVPE生长的GaAs在Ge上的结构
Nanomaterials Processing Laboratory, The Rince Institute, School of Electronic Engineering,Dublin City University, Dublin 9, Ireland;
Nanomaterials Processing Laboratory, The Rince Institute, School of Electronic Engineering,Dublin City University, Dublin 9, Ireland;
Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid, CSIC, Sor Juana Ines de la Cruz 3, 28049 Madrid, Spain;
Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid, CSIC, Sor Juana Ines de la Cruz 3, 28049 Madrid, Spain;
Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid, CSIC, Sor Juana Ines de la Cruz 3, 28049 Madrid, Spain;
IMDEA Materials, c/Professor Aranguren s, 28040 Madrid, Spain;
Nanomaterials Processing Laboratory, The Rince Institute, School of Electronic Engineering,Dublin City University, Dublin 9, Ireland;
机译:MOVPE生长的InGaAs / GaAs量子阱的高低内在应变的光谱研究
机译:通过光学反射率,X射线衍射和原子力显微镜对MOVPE生长的AlGaAs / AlAs分布式布拉格反射器结构进行全面表征
机译:通过X射线驻波和光致发光光谱研究了MOVPE生长的超薄InAs层中GaAs(001)中埋入的层的完美性
机译:通过透射电子显微镜对MOVPE生长的GaAs / AlGaAs核壳纳米线的结构表征
机译:先进的X射线散射技术在导电聚合物分子堆积结构研究中的应用
机译:无光刻技术制备的自催化GaAs纳米线均匀集合体的结构研究
机译:X射线技术对GE的MOVPE-生长的GaAs结构研究
机译:XaFs技术在结构损伤材料研究中的应用