机译:从Ⅱ-Ⅵ半导体异质结构中去除GaAs生长衬底。
Physikalisches Institut (EP3) der Universitaet Wuerzburg, 97074 Wuerzburg, Germany;
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spintronics; lift-off techniques; nanostructures;
机译:关于应变补偿GaAsp层在人工Ge / Si基材上以上1100nm以上的波长发射的indaas / gaas量子孔激光异质结构的应用
机译:AlGaAs缓冲层在Si衬底上生长掺锌GaAs / AlGaAs异质结构纳米线
机译:通过SrTiO3模板在GaAs / InGaAs量子阱异质结构上溶胶-凝胶沉积Pb(Zr,Ti)O-3:半导体在氧化物生长过程中的稳定性
机译:半导体激光器冷却用GaAs / InGaP异质结构的生长和表征
机译:通过分子束外延生长低无序GaAs / AlGaAs异质结构,以研究二维相关电子相。
机译:单晶III-V半导体在非晶衬底上的直接生长
机译:从II-VI半导体异质结构中去除Gaas生长衬底
机译:si和柔性基板上的半导体纳米膜光电子的基于Inp的异质结构设计和生长