机译:用于RF功率应用的GaN HEMT中电流崩塌的漂移扩散和流体力学建模
Electronic System Design Centre (ESDC), College of Engineering, Swansea Universtiy, Singleton Park, Swansea, SA2 8PP, UK;
Electronic System Design Centre (ESDC), College of Engineering, Swansea Universtiy, Singleton Park, Swansea, SA2 8PP, UK;
Electronic System Design Centre (ESDC), College of Engineering, Swansea Universtiy, Singleton Park, Swansea, SA2 8PP, UK;
GaN; high electron mobility transistors (HEMTs); device simulation; current collapse;
机译:使用小信号等效电路在AlGaN / GaN HEMT中进行电流崩塌建模以用于大功率应用
机译:GaN-HEMT电源开关中电流崩塌的紧凑模型
机译:HiSIM_GaN:GaN-HEMT的紧凑模型,具有精确的动态电流崩塌再现
机译:用于微波功率应用的GaN / AlGaN HEMT中电流崩塌的比例
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:关于碳掺杂GaN中供体/受体补偿比的建模在横向GaN功率Hemts中的单一再现击穿电压和电流塌陷
机译:关于碳掺杂GaN中供体/受体补偿比的建模,在横向GaN功率Hemts中的单一再现击穿电压和电流塌陷
机译:用于减少alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)中电流崩塌的表面钝化膜的比较