机译:富硅氮化硅发光电容器中发光中心的分析
CIDS BUAP, Puebla 72000, Pue, Mexico;
CIDS BUAP, Puebla 72000, Pue, Mexico;
CIDS BUAP, Puebla 72000, Pue, Mexico;
INAOE, Dept Elect, Puebla 72000, Mexico;
CIDS BUAP, Puebla 72000, Pue, Mexico;
Ctr Invest & Mat Avanzados SC, Unidad Monterrey PIIT, Apodaca 66600, Nuevo Leon, Mexico;
Ctr Invest & Mat Avanzados SC, Unidad Monterrey PIIT, Apodaca 66600, Nuevo Leon, Mexico;
silicon rich silicon nitride; electroluminescence; photoluminescence; LPCVD;
机译:NH3等离子体和退火处理增强了富硅氮化硅发光器件的电致发光
机译:闪存中金属/氧化硅/氮化硅/氧化硅/硅电容器在负偏置温度不稳定性应力下的氢钝化效应
机译:Nd掺杂富硅氧化硅和富硅氮化硅波导的引导光致发光研究
机译:富含含硅氮化硅发光器件的电致发光
机译:非晶态二氧化硅和非晶态氮化硅中三价硅中心的磁共振研究。
机译:掺富硅氧化物薄膜中从发光中心到Er3 +的能量转移
机译:UV总剂量非挥发性传感器使用氧化硅 - 氮化物 - 氧化硅电容器,其具有氧 - 氮化物作为电荷捕获层