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机译:闪存中金属/氧化硅/氮化硅/氧化硅/硅电容器在负偏置温度不稳定性应力下的氢钝化效应
School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul 136-713, Republic of Korea;
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机译:氢化非晶硅氧化物薄膜的红外吸收和氢渗出
机译:在负偏压温度不稳定性应力作用下,掺入氮和硅的HfO_2栅极电介质的p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管产生体和界面陷阱
机译:氢后退火在MANOS电容器中改善的记忆特性的负/正偏差偏稳定性分析
机译:N型非晶和微晶氢化硅(SiOx:H)的开发及其对窗的影响对硅异质结太阳能电池器件的影响研究
机译:在二氧化f和基于二氧化硅的金属氧化物-硅结构中,与偏置温度不稳定性和应力引起的泄漏电流有关的缺陷的磁共振观察。
机译:A-Ingazno薄膜晶体管中光漏电流和负偏压照明应力的退火诱导稳定性的定量分析
机译:大偏压对具有超薄栅极电介质P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏置温度不稳定性的影响