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机译:在GaN的非极性和半极性取向上化学辅助离子束刻蚀激光二极管刻面
Univ Calif Santa Barbara, Dept Mat, Santa Barbara, CA 93106 USA;
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Univ Calif Santa Barbara, Dept Mat, Santa Barbara, CA 93106 USA;
Univ Calif Santa Barbara, Dept Elect & Comp Engn, Santa Barbara, CA 93106 USA;
Univ Calif Santa Barbara, Dept Mat, Santa Barbara, CA 93106 USA|Univ Calif Santa Barbara, Dept Elect & Comp Engn, Santa Barbara, CA 93106 USA;
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Univ Calif Santa Barbara, Dept Mat, Santa Barbara, CA 93106 USA;
GaN; laser diodes; chemically assisted ion beam etching; facets; nonpolar; semipolar; dry etching;
机译:化学辅助离子束刻蚀面的连续波蓝色半极性(2021)Ⅲ-氮化物激光二极管内部损耗和注入效率的测量和分析
机译:非极性和半极性GaN上激光二极管的刻面形成
机译:压电场对以非极性(1010)和半极性(112 2)取向制备的InGaN / GaN量子阱发光二极管的光电性能的影响
机译:使用化学辅助离子束刻蚀和简单的光刻胶掩模制作具有干刻蚀面的InGaAsP / InP脊形波导激光器
机译:用化学辅助离子束刻蚀制造的新型半导体激光器结构。
机译:揭示侧壁取向在GaN基紫外发光二极管的湿法化学蚀刻中的作用
机译:通过化学辅助离子束蚀刻对III族氮化物激光二极管的镜面进行干蚀刻和表征