机译:氢蚀刻对Si上插入AlN层间GaN MOVPE的应力控制的影响
Sichuan Univ, Coll Mat Sci & Engn, Inst Solar Energy Mat & Devices, Chengdu, Peoples R China;
Univ Tokyo, Sch Engn, Inst Engn Innovat, Tokyo, Japan;
Univ Tokyo, Sch Engn, Dept Elect Engn & Informat Syst, Tokyo, Japan;
Univ Tokyo, Res Ctr Adv Sci & Technol, Tokyo, Japan;
Univ Tokyo, Res Ctr Adv Sci & Technol, Tokyo, Japan;
Univ Tokyo, Sch Engn, Inst Engn Innovat, Tokyo, Japan|Univ Tokyo, Sch Engn, Dept Elect Engn & Informat Syst, Tokyo, Japan;
Univ Tokyo, Sch Engn, Dept Elect Engn & Informat Syst, Tokyo, Japan|Univ Tokyo, Res Ctr Adv Sci & Technol, Tokyo, Japan;
hydrogen etching; interface; metalorganic vapor phase epitaxy; GaN-on-Si; stress control;
机译:AlN中间层对无裂纹AlGaN和GaN上AlN / GaN多层MOVPE生长的应变效应
机译:通过在PAMBE在SiC(0001)上相干生长的AlN模板上插入超薄GaN中间层来控制AlN顶层中的应变
机译:通过插入低温AlN中间层减少在Si(111)上生长的GaN中的拉伸应力
机译:压力缓解Aln夹层在等离子体辅助分子束外延生长的甘蓝型中间层的影响
机译:AlN,GaN及其合金的金属有机气相沉积。
机译:表面钝化对超薄AlN / GaN异质结构场效应晶体管中AlN势垒应力和散射机理的影响
机译:MOVPE生长条件为AlGaN / GaN / Si异质结构的优化,SIN和LT-ALN中间层专为HEMT应用而设计
机译:低温中间层对GaN的应力和缺陷控制;日本应用物理学报