机译:退火气氛对可变形软化聚合物衬底上IGZO薄膜晶体管的影响
Ctr Invest Opt, Leon 37150, Mexico;
Univ Texas Dallas, Dept Bioengn, Richardson, TX 75080 USA;
Univ Ciencias & Artes Chiapas, CONACYT, Inst Invest & Innovac Energias Renovables, Tuxtla Gutierrez 29039, Chiapas, Mexico;
Univ Texas Dallas, Dept Mat Sci & Engn, Richardson, TX 75080 USA;
Univ Texas Dallas, Dept Mat Sci & Engn, Richardson, TX 75080 USA;
indium-gallium-zinc-oxide; thin-film transistors; mobility; contact resistance;
机译:在SINX上IGZO的A-IGZO薄膜晶体管性能和价带切断的成形气体的效果
机译:柔性低电压IGZO薄膜晶体管,在纸基板上具有聚合物驻极体栅极电介质
机译:在可变形软化聚合物基材上制造的薄膜器件中氧化铪电介质的寿命
机译:使用聚合物基材的准分子激光退火多Si薄膜晶体管的制造
机译:电子材料薄膜在聚合物基材上的变形能力。
机译:热损坏微波退火具有高效的能量转换用于在柔性基板上制造高性能A-IGZO薄膜晶体管
机译:可变形软化聚合物基材上高度稳定的铟 - 镓 - 氧化锌薄膜晶体管
机译:聚合物基板上的高迁移率碳纳米管薄膜晶体管。