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【24h】

A study on the nucleation and MPCVD growth of thin, dense, and contiguous nanocrystalline diamond films on bare and Si_3N_4-coated N-polar GaN

机译:浅,致密,连续纳米晶金刚石薄膜的成核和MPCVD生长研究,裸露和Si_3N_4涂层N极GaN

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  • 来源
    《Semiconductor science and technology》 |2020年第1期|015003.1-015003.11|共11页
  • 作者单位

    Department of Electrical and Computer Engineering University of California Davis CA 95616 United States of America;

    Department of Electrical and Computer Engineering University of California Davis CA 95616 United States of America;

    Department of Electrical and Computer Engineering University of California Davis CA 95616 United States of America|Department of Electrical Engineering Stanford University 420 Via Paulo Stanford CA 94305 United States of America;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-19 02:29:56

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