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机译:改进了AG / AL的电阻切换特性:HFO_X / ITO / PET RERAM,用于灵活的电子产品应用
Natl Inst Technol Dept Elect & Commun Engn Durgapur 713209 India;
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Univ Liverpool Dept Phys Liverpool L69 7ZF Merseyside England|Univ Liverpool Stephenson Inst Renewable Energy Liverpool L69 7ZF Merseyside England;
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ReRAM; Al doping; HfO; (x); flexible;
机译:利用HFO_x缓冲层改善了石墨烯氧化物柔性焦克的电阻切换性能
机译:在PET / ITO透明柔性基板上制备的ZnO / a-TiO2双层薄膜的电阻转换特性
机译:通过控制氧分压形成具有改善的电阻切换均匀性的Ag / a-IGZO / Pt的自由双极ReRAM
机译:超柔性聚酰亚胺基板上的Al / HFO_X / AU结构的低压电阻切换行为
机译:电阻切换随机存取存储器(RRAM):对实际应用的分析,建模和表征
机译:用于柔性电子设备应用的双夹梁开关上弯曲特性的多物理模型
机译:通过微波辐射处理改善Ag / HFO2 / PT REERAM器件中电阻切换特性的均匀性
机译:用于未来ssBN的电力电子技术应用(通过在ssBN电子系统中使用开关稳压器电源,降低成本和改进的性能可以在电子和电力系统中得到反映)。