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机译:由金属 - 有机气相外延生长的GaN的隧道连接和光电器件
Meijo Univ Dept Mat Sci & Engn Nagoya Aichi Japan;
Meijo Univ Dept Mat Sci & Engn Nagoya Aichi Japan;
Meijo Univ Dept Mat Sci & Engn Nagoya Aichi Japan;
Meijo Univ Dept Mat Sci & Engn Nagoya Aichi Japan|Nagoya Univ Akasaki Res Ctr Nagoya Aichi Japan;
GaN; tunnel junction; MOVPE; optoelectronic device;
机译:通过金属有机气相外延生长的峰值电流密度超过6 x 105 A / cm2的高均匀度InP基谐振隧穿二极管晶片
机译:金属有机气相外延生长的InP基InGaAs / AIAs谐振隧穿二极管中的极高峰值电流密度,超过1×10〜6 A / cm〜2
机译:具有通过金属有机化学气相沉积法生长的隧道结接触的GaN基垂直腔面发射激光器
机译:通过金属有机气相外延生长的InP基应变In / sub 0.8 / Ga / sub 0.2 / As / AlAs谐振隧穿二极管,具有高峰值电流密度和大峰谷电流比
机译:金属有机气相外延生长,制造和表征III-V氮化物光电器件。
机译:金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的低Al成分p-GaN / Mg掺杂Al0.25Ga0.75N / n + -GaN极化诱导的反向隧穿结
机译:金属 - 有机气相外延生长的简单NP-N隧道结的限制
机译:用于新型器件的GaN基异质结构的pendeo-Epitaxy概述;会议文件