机译:HFO_2 /β-GA_2O_3金属氧化物半导体电容器的辐射寄托:伽马辐射研究
Indira Gandhi Ctr Atom Res Mat Sci Grp Kalpakkam 603102 Tamil Nadu India;
Indian Inst Technol Delhi Dept Phys Hauz Khas New Delhi 110016 India;
Indira Gandhi Ctr Atom Res MMG Nondestruct Evaluat Div Kalpakkam 603102 Tamil Nadu India;
Indian Inst Technol Delhi Dept Phys Hauz Khas New Delhi 110016 India;
Indira Gandhi Ctr Atom Res Mat Sci Grp Kalpakkam 603102 Tamil Nadu India|Indira Gandhi Ctr Atom Res Elect & Instrumentat Grp Kalpakkam 603102 Tamil Nadu India;
beta-Ga2O3; gamma irradiation; high-k dielectrics; HfO2; beta-Ga2O3; MOS capacitors; radiation hardness;
机译:HFO2 /β-GA2O3金属氧化物半导体电容器的辐射寄存:γ辐照研究
机译:β-Ga_2O_3金属氧化物半导体场效应晶体管对γ射线辐射的辐射硬度
机译:n-In_(0.53)Ga_(0.47)As金属氧化物半导体电容器上高κLa_2O_3 / HfO_2和HfO_2 / La_2O_3堆叠层的可靠性研究
机译:n-InAs金属氧化物半导体电容器的La_2O_3 / HfO_2栅介质的研究
机译:γ射线降解三种β受体阻滞剂的每级电能(EE / O)的比较研究。
机译:基于Ald-Al2O3基金属氧化物半导体结构在γ射线照射下的损伤效应
机译:Cern伽玛照射设施辐照下环型气体混合物的RPC检测器运行研究