机译:雪崩条件下常关GaN HEMT的失效分析
Univ Valencia Dept Elect Engn E-46100 Burjassot Spain;
Fraunhofer Inst Integrated Syst & Device Technol D-91058 Erlangen Germany;
avalanche breakdown; GaN HEMT; inductive switching;
机译:常关P-GaN门Algan / GaN HEMT作为片上电容的建模与分析
机译:具有p型栅极的常关GaN-HEMT:关态退化,正向栅极应力和ESD失效
机译:肖特基门P-Gan / AlGan / GaN Hemts常关操作的设计考虑因素
机译:常态截止的AlGaN / GaN低密度漏极HEMT(LDD-HEMT)具有增强的击穿电压和抑制的电流崩塌
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:用多指架构调制对高功率应用的自终止蚀刻技术常关P-GAN / ALGAN / GAN HEMT的研究
机译:常关P-GaN门控AlGaN / GaN Hemts使用等离子体氧化技术在接入区域中