机译:单层石墨烯夹层Au / n型InP肖特基势垒二极管的制备与表征
Erzincan Binali Yildirim Univ Vocat Sch Dept Elect Technol TR-24200 Erzincan Turkey;
graphene; 2D materials; Schottky barrier diode; InP; absorbance;
机译:Monolayer石墨烯中间晶体晶体层间舒舒晶屏障二极管肖特基屏障特性的改变
机译:用喷雾热解法沉积的石墨烯氧化物中间层的Ti / N-InP肖特基二极管的结构,光学和电学特性
机译:石墨烯夹层Au / n型Ge肖特基势垒二极管的温度相关电流-电压特性
机译:设计,制造和表征1.5米Omega cm〜2,800 V 4H-SiC n型肖特基势垒二极管
机译:红外焦平面阵列用硅化铂/ p型硅和硅化铱/ p型硅肖特基势垒光电探测器的制造,微观结构表征和内部光响应
机译:具有改善的势垒高度均匀性的单层石墨烯/ SiC肖特基势垒二极管作为检测重金属的传感平台
机译:具有改善的势垒高度均匀性的单层石墨烯/ SiC肖特基势垒二极管作为检测重金属的传感平台