一种Au@InP纳米孔阵列光阳极材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种Au@InP纳米孔阵列光阳极材料的制备方法，首先以InP晶片为基底，通过阳极氧化法并结合湿法刻蚀制备一维有序InP纳米孔阵列，然后以一维有序InP纳米孔阵列为模板，通过浸渍电化学沉积法将Au纳米颗粒均匀负载于InP纳米孔阵列内，从而构建Au@InP纳米孔阵列复合结构光电解水光阳极材料。本发明Au@InP纳米孔阵列复合结构能极大的增加异质结的接触面积，同时能大幅增加反应活性位点；具有较高的光电流密度和较低的起始电位以及优异的光生载流子分离能力；操作灵活简单、反应条件温和，成本低廉，所得Au纳米颗粒尺寸均匀性好，易于调控，适合大规模生产，具有良好的应用前景。