Untwinned semipolar (1013) Al_xGa_(1-x)N layers grown on m-plane sapphire

Dinh Duc V.; Hu Nan; Amano Hiroshi; Honda Yoshio; Pristovsek Markus

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Untwinned semipolar (1013) Al_xGa_(1-x)N layers grown on m-plane sapphire

机译：在m面蓝宝石上生长的未缠绕的半极性（1013）Al_xGa_（1-x）N层

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Heteroepitaxial growth of untwinned mono-crystalline semipolar (101?3) Al(x)Ga1?xN 展开▼

机译：通过金属有机气相外延研究了未缠绕的单晶半极性（101？3）Al（x）Ga1？xN 展开▼

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来源
《Semiconductor science and technology》 |2019年第12期|125012.1-125012.8|共8页

作者
Dinh Duc V.; Hu Nan; Amano Hiroshi; Honda Yoshio; Pristovsek Markus;
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作者单位

Nagoya Univ Inst Mat & Syst Sustainabil Nagoya Aichi 4648601 Japan;

Nagoya Univ Sch Engn Nagoya Aichi 4648603 Japan;

Nagoya Univ Inst Mat & Syst Sustainabil Nagoya Aichi 4648601 Japan|Nagoya Univ Akasaki Res Ctr Nagoya Aichi 4648603 Japan;

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);

原文格式 PDF

正文语种 eng

中图分类

关键词
nitrides; AlGaN; semiconducting aluminium compounds; metalorganic vapour phase epitaxy;

机译：氮化物氮化铝镓;半导体铝化合物;金属有机气相外延;

入库时间 2022-08-18 04:50:06

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