机译:宽GaN / AlGaN极性量子阱中的本征斯托克斯位移
Wroclaw Univ Sci & Technol Fac Fundamental Problems Technol Wybrzeze Wyspianskiego 27 PL-50370 Wroclaw Poland;
Univ GrenobleAlpes CEA IRIG DEPHY PHELIQS NPSC 17 Ave Martyrs F-38054 Grenoble 9 France;
GaN; quantum wells; Stokes shift; photoluminescence; modulation spectroscopy; electroreflectance;
机译:非极性m平面AlGaN / GaN多量子阱中子带间吸收的掺杂依赖性蓝移和线宽展宽
机译:N极性(0001)InGaN / GaN多量子阱发光二极管中的大斯托克斯样位移
机译:半极性(1122)InGaN / GaN多量子阱中的斯托克斯位移
机译:量子阱宽度和屏障厚度对极性和非极性的AlGaN / GaN共振隧道二极管垂直传输的影响
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:调整随机激光器的量子效率-本征斯托克斯位移和增益
机译:在宽GaN / AlGaN极量子阱中的内在斯托克斯转移
机译:GaN / alGaN耦合量子阱中工程子带间非线性在宽带宽应用中的优化性能