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Control Strategy for Wafer-Edge Defects

机译:晶圆边缘缺陷的控制策略

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摘要

Identifying and resolving systematic process issues on edge die before they migrate to interior die prevents production yield loss and enables faster yield ramp.rnTraditionally, defect inspection and monitoring are only performed on complete die. Partially printed die at the perimeter of a wafer include only a portion of a full chip, and thus are unusable as product. However, we have determined that inspecting partial die can reveal defect signatures that point to process issues relevant to the full, yielding die. Inspections that include complete wafer information - both full and partial die - provide engineers with a comprehensive picture of a particular process and the associated defectivity.
机译:在边缘模具转移到内部模具之前,先识别并解决系统性工艺问题,可防止生产良率损失,并加快成品率。传统上,缺陷检查和监视仅在完整模具上进行。晶片周边的部分印刷管芯仅包含完整芯片的一部分,因此不能用作产品。但是,我们已经确定,检查部分裸片可以发现缺陷特征,这些缺陷特征指向与完整且合格的裸片相关的工艺问题。包括完整晶片信息(完整和部分晶片)的检查为工程师提供了特定工艺和相关缺陷的全面信息。

著录项

  • 来源
    《Semiconductor International 》 |2009年第6期| 22-24| 共3页
  • 作者单位

    Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. (TSMC), Hsinchu, Taiwan;

    Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. (TSMC), Hsinchu, Taiwan;

    KLA-Tencor Corp., Milpitas, Calif.;

    KLA-Tencor Corp., Milpitas, Calif.;

    KLA-Tencor Corp., Milpitas, Calif.;

    KLA-Tencor Corp., Milpitas, Calif.;

    KLA-Tencor Corp., Milpitas, Calif.;

  • 收录信息 美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

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