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【24h】

マイクロンテクノロジー半導体デバイス部門グランプリ176層NANDフラッシュメモリ新構造で業界トップのコスト効率実現

机译:Micron Technology半导体器件分部Grand Prix 176层NAND闪存新结构具有成本效率的行业顶部

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摘要

マイクロンテクノロジー(日本法人=マイクロンメモリジャパン合同会社)は、世界最高レベルの密度とパフォーマンスを他社に先がけて達成した、世界初の「176層NANDフラッシュメモリ」を開発した。すでに製品出荷も開始しており、5GやAI、クラウド、データセンター、モバイルなどストレージが活用される様々なアプリケーションのパフォーマンスが大幅に向上する。製品·技術の概要をマイクロン米国本社ストレージビジネス·ユニットNANDコンポーネントマーケティング担当ディレクターを務めるダン·ドイル(Dan Doyle)氏に伺った。
机译:Micron Technology(日本公司= Micron Memory日本联合公司)开发了世界上第一个“176层NAND闪存”,在其他公司之前实现了世界上最高级别的密度和性能。 产品出货量已启动,以及各种需要存储的应用程序,例如5G,AI,云,数据中心和移动设备,具有大大提高性能。 产品和技术概述,Micron美国总公司仓储业务部位NAND组件营销总监Dan Doyle告诉Dan Doyle。

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  • 来源
    《半導体産業新聞》 |2021年第2465期|6-6|共1页
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