熱安定化指針を確立 TRAMの応用に期待

摘要

名古屋大学(名古屋市千種区不老町、052-789-5111)大学院工学研究科の白石賢二教授ちの研究グループは、超低電力デバイス技術研究組合(LEAP)との共同研究でTRAM(Topological Switching RAM)の基本構造である超格子構造の熱安定性の機構を明らかにした。これによりTRAMの高信頼化への指針を世界で初めて確立した。TRAMは構造相転位ではなく、ゲルマニウム(Ge)原子の短範囲の移動で高抵抗状態と低抵抗状態を実現できるメモリーで、データセンターで特にアクセスが集中する最上位のストレージ階層における高速、低電力ニーズへの対応が期待される。しかし、高抵抗から低抵抗に移り変わる際に何が起こっているのかこれまで分かっていなかった。