GaN陣営の勢力拡大 シャープなど新規参入相次ぐ Siウエハー活用でコスト優位に

摘要

次世代パワー半導体の開発を巡り、ここにきてGaN（窒化ガリウム）の勢力が一気に拡大している。これまで高耐圧領域はSiC（シリコンカーバイド）、低耐圧領域はGaNといったかたちで、すみ分けがなされるとの見方が大半であったが、ここ最近の動きから「GaNが一気に主役候補に躍り出てきた」との声も出始めている。各社の開発状況および事業計画から次世代パワー半導体の最新動向をレポートする。従来、次世代パワー半導体を巡っては200V以上の高耐圧領域はSiCが、200V以下の低耐圧領域はGaNが担うとされていた。ここ数年は特に、SiC関連の事業化が相次いでおり、国内ではロームや三菱電機が先陣を切っている状況であった。関係者のあいだでも「SiCがまず先行し、その後をGaNが追う」との見方で一致していた。