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ルネサス 第8世代IGBT電力損失大幅削減

机译:瑞萨电子第8代IGBT功耗降低

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摘要

ルネサスエレクトロニクス㈱(東京都江東区豊洲3-2-24、03-6773-3000)は、独自のトレンチゲート構造を採用し、電力損失を大幅に削減した第8世代のIGBT「G8Hシリーズ」を開発した。独自のトレンチゲート構造採用により、高速スイッチング特性の向上と飽和電圧の低下による導通損失の低減を両立。従来の第7世代品に比べてスイッチング損失を最大30%改善しており、ユーザーシステムの電力効率向上に貢献できる。で計6製品をラインアップ。様々なインバーター回路方式、出力容量に応じて製品を選択できる。
机译:瑞萨电子公司(东京都江东区丰洲市3-2-24,03-2-6773-3000)开发出了第八代IGBT“ G8H系列”,它采用了独特的沟槽栅结构,大大降低了功率损耗。做到了。通过采用独特的沟槽栅极结构,由于饱和电压的降低,两种高速开关特性均得到改善,并且传导损耗也得以降低。与传统的第7代产品相比,开关损耗已提高了30%,这有助于提高用户系统的电源效率。共有6种产品。可以根据各种逆变器电路系统和输出容量选择产品。

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  • 来源
    《半導体産業新聞》 |2016年第2187期|3-3|共1页
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