•東京大学ら3者高速磁壁の制御実現磁気メモリーの機能向上

摘要

東京大学、電気通信大学、日本原子力研究開発機構の研究チームは、絶縁体を介して磁石に電圧を加える「電界効果」という手法を用いて、秒速100mを超える高速な磁壁(N極とS極の境界)の運動を制御することに世界で初めて成功した。磁気メモリーデバイスの高性能化に貢献するもので、究極のストレージメモリーとして期待される「レーストラックメモリー」(RTM)の実現を目指していく。