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NECEL,新構造MOS型保護回路を開発構造改善でシステムLSIの信頼性向上

机译:NECEL开发新结构的MOS型保护电路通过改进结构提高系统LSI的可靠性

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摘要

NECエレクトロニクス(NECEL)は,45nmプロセスに向けて,システムLSlの信頼性向上につながる「静 電気放電(ESD:Electrostatjc Discharge)破壊を防止する回路」に関する保護技術を確立,その発表を行 った。今回開発された技術は,汎用用途に対応する入出力部へ挿入するESD保護回路に関するもので,これま で同社が開発してきた様々なESD保護技術に,新開発の技術を組み合わせることで,45nm以降の微細プロセ スによるシステムLSlの信頼性を大幅に向上させることが可能となる。
机译:NEC电子公司(NECEL)已经建立并宣布了用于“防止静电放电(ESD:Electrostatjc Discharge)击穿的电路”的保护技术,该技术可提高系统LS1在45 nm工艺方面的可靠性。此次开发的技术涉及将ESD保护电路插入通用用途的输入/输出部分中,通过将公司迄今为止开发的各种ESD保护技术与新开发的45 nm技术相结合。系统LS1的可靠性可以通过随后的精细处理而大大提高。

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