GaNとダイヤモンドを直接接合大阪市大、東北大、佐賀大などの研究ダループ成功半導体の発熱問題解決に期待

摘要

大阪市立大学大学院工学研究科の梁剣波准教授、重川直輝教授、東北大学金属材料研究所の大野裕准教授、永井康介教授、清水康雄博士(現NIMS)、佐賀大学理工学部の嘉数誠教授、アダマンド並木精密宝石の金聖祐博士らの研究グループは、窒化ガリウム(GaN)とダイヤモンドの直接接合に成功した。発熱によって性能が制限されることがGaN素子の弱点だったが、地球上で最も熱伝導率の高いダイヤモンドを接合することで、GaNトランジスタでの温度上昇を4分の1程度に抑制できる。ADVANCED MATERIALSにオンライン掲載された。