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窒化ガリウム研究開発拠点名古屋大に完成

机译:名古屋大学氮化镓研发基地竣工

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摘要

GaNには、さまざまな優れた特性があり、無線通信用の高周波デバイス、電力制御用のパワーデバイス、医療·化学分析で使用する紫外発光デバイスなどへの応用が期待されている。しかし、青色発光ダイオードがそうであったように、その実用化には大きな「死の谷」を克服しなければならない。そこで省エネルギー社会実現に資する次世代半導体研究開発(研究代表=天野浩·名大教授)では、名大を中核機関として、名城大、名工大、豊田工大、愛知工大、大阪大、東工大、東北大、筑波大、三重大、山口大、京大、東大、北大、早稲田大、物質·材料研究機構、産業技術総合研究所、豊田中研、豊田合成、三菱電機、富士電機、小糸製作所などが、産官学のオールジャパン体制でGaNの新たな展開に取り組んでいる。
机译:GaN具有各种优异的特性,并有望应用于无线通信的高频器件,功率控制的功率器件以及医学和化学分析中使用的紫外发光器件。但是,与蓝色发光​​二极管一样,必须将大型“死亡谷”用于其实际应用。因此,在为实现节能社会做出贡献的下一代半导体研发中(研究代表=天野弘/明代教授),名城大学,名古屋科技,丰田科技,爱知科技,大阪大学,东京科技,东北筑波大学,三重大学,山口大学,东京大学,东京大学,北海道大学,早稻田大学,国立材料科学研究所,国立先进工业科学技术研究所,丰田中央实验室,丰田五星,三菱电机,富士电机,小ito制作所等我们正在整个工业,政府和学术界的全日本体制下研究GaN的新发展。

著录项

  • 来源
    《科学新聞》 |2018年第3690期|01_fm01-01_fm01|共1页
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  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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  • 入库时间 2022-08-18 04:39:47

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