机译:绝缘栅双极晶体管和晶闸管静态感应的静态特性比较分析
OAO NPO Energomodul, Krasnoznamensk, Moscow oblast, 143090 Russia;
All-Russia Electrotechnical Institute, Moscow, 111250 Russia;
Ioffe Physical Technical Institute, St. Petersburg, 194021 Russia;
St. Petersburg Electrotechnical University LETI, St. Petersburg, 197376 Russia;
insulated gate bipolar transistors; static induction thyristors; current-voltage characteristics; comparative analysis;
机译:具有高达非准静态界面缺陷的4H-SiC绝缘栅双极晶体管的开关特性
机译:栅极绝缘层对有机静电感应晶体管特性的影响
机译:超高压碳化硅绝缘栅极双极晶体管的静态和动态性能预测
机译:一种采用折叠栅抑制寄生晶闸管闭锁的新型横向绝缘栅双极晶体管
机译:超高压4H-SiC双向绝缘栅双极晶体管。
机译:利用射频溅射制备的UV /臭氧处理改善了氧化镓/ P-EPI碳化硅静态静态晶体管的电气特性
机译:埋设栅极结构的双极静态感应晶体管(BSIT)的电压性能提高
机译:mEsFET双极晶体管与静电感应晶体管C类放大器的比较