机译:65 nm双DICE SRAM中单事件翻转和多单元翻转的方向依赖性
机译:模拟钛合金VT20坯料镦粗的流变性质及相似条件:II。 模拟实验样品和虚拟坯料的镦粗
机译:基于多场耦合有限元的电Electric粗二次缺陷形成过程及工艺参数优化研究
机译:外部镦锻管的镦粗过程的数值模拟
机译:静态随机存取存储器中多个细胞不适的模式识别:实验测试结果与单事件不适机制的相关性。
机译:超声波对镦粗Almg3合金微观结构和硬度的影响
机译:新型四重交叉耦合存储器单元设计,防止单事件upsets和双节点upsets