ボイドレス状態でSiCダイを接合 阪大菅沼研究室が世界で初めて成功

摘要

大阪大学産業科学研究所菅沼克昭研究室は、SiCパワーデバイスチップ（タイ）に1マイメークロトル厚みの銀薄膜を蒸着。銀の面同士を無加圧で重ね合わせ200-250度Cの低温で30分程度保持するだけでSiCダイをボイドレスの完璧な状態で接合させるとに世界で初めて成功した。