米GF7ナノのプロセス技術提供ヘ18年早期試験生産めざす

摘要

米グローバルファウンドリーズ(GF)はこのほど、最先端の7ナノメートルFinFET技術の提供計画を発表した。現行の14ナノメートル技術から10ナノメートルを飛ばして、7ナノメートルに移行。17年後半に新プロセスべースの製品設計の提供を始め、18年早期のリスク(試験)生産を目指す。これにより、次世代コンピューティングアプリケーションに究極の高性能を提供するとしている。