高速•低消費電力な1Xnmサイズ 不揮発性STT-MRAM用 東芝がMTJ素子開発

摘要

東芝は将来の高性能•低消費電力コンビューティングに必要なキャッシュメモリー向けに、2Xナメーノトル世代以降のシリコントランジスタで製造可能な不揮発性磁性体メモリーSTT-MRAM用磁気トンネル接合(MTJ)素子を開発した。キャッシュメモリー用途として要求される3ナノ秒以下の高速動作性と100μA以下の低電流動作特性を、世界で初めて1Xナメーノトル(10ナメーノトル台)までのMTJ素子で実現した。同メモリーを使うことで、従来のキャッシュメモリー(SRAM)と比較して消費電力を低減することが可能になる。