产综研开发出可降低SiC功率元件价格的高速CVD装置

摘要

日本产业技术综合研究所（产综研）宣布，该研究所功率电子学研究中心主任研究员石田夕起开发出了SiC外延膜生长速度高达100μm／小时的化学气相生长（CVD）装置“近接垂直吹炼型CVD炉”。生长速度比原来快数十倍。SiC有望推动电源电路用功率半导体实现高效及小型化，而价格之高是妨碍普及的原因之一。尤其是SiC外延膜生长，利用现有量产装置时仅为数μm／小时，仅有Si的几百分之一，是推动SiC元件价格上涨的一大原因。而此次则通过根本性改变生长机制，获得了高生长速度。