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【24h】

韓国サムスンが量産に着手 第2世代 10ナ ノFinFETプロセス技術

机译:韩国三星开始量产第二代10纳米FinFET工艺技术

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摘要

【ソウル支局】韓国のサムスン電子は19日、第2世代の10ナ ノメートルFinFETプロセス技術「10LPP(低電力プラス)」の量産を今年第4四半期にも開始すると発表した。 3D FinFETの構造をさらに強化することで、第1世代の「10LPE(低電力初期版)」プロセスと比較して、最大10%の性能向上と15%の低消費電力を実現するとしている。
机译:[首尔局]三星电子有限公司于9月19日宣布,它将在今年第四季度开始批量生产第二代10纳米FinFET工艺技术“ 10LPP(低功率加)”。据说,通过进一步加强3D FinFET的结构,与第一代“ 10LPE(低功耗初始版本)”工艺相比,它将实现高达10%的性能提升和15%的低功耗。

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  • 来源
    《电波新闻》 |2017年第17151期|2-2|共1页
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  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
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  • 入库时间 2022-08-17 23:48:50

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