首页> 外文期刊>电波新闻 >京都セミコン変調帯域40ギガへルツを実現InGaASフオトダイオード
【24h】

京都セミコン変調帯域40ギガへルツを実現InGaASフオトダイオード

机译:京都Semicon调制频段40 Giga Reid Route Ingaas脚二极管

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

京都セミコンダクターは、データセンター(DC)内、DC間で用いられる4値変調方式(PAM4)を利用する400ギガbps伝送システム向けに、40ギヘルガツと広い変調帯域を有するインジウムガリゥムヒ素(InGaAS)フォトダイオ,ードKPIH KPDEH 12L-CC1Cを開発した。U月に量産開始を予定している。
机译:京都半导体是40 Gigargatsu,并且使用DCS(DC),Gullum砷(InGaAs)光电二氧化铟锡(INGAAs)光电二氧化硅的4-值调制方案(PAM4),KPIH KPDEH 12L-CC1C的400 GIGA BPS传输系统的宽调制频段。我们计划在U节开始批量生产。

著录项

  • 来源
    《电波新闻》 |2020年第17979期|4-4|共1页
  • 作者

  • 作者单位
  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号