ロームオン抵抗を40%低減1200V第4世代SiC MOSFET

摘要

ロームは、業界トヅプの低オン抵抗を実現した1200V第4世代SiC MOSFETを開発した。単位面積当たりのオン抵抗を同社従来1200V品より約40%低減。主機インバータの車載パワートレインシステムや産業機器向け電源用の需要に応える。6月からベアチップのサンプル出荷を始め、8月以降、T02473L(3端子)/4L(4端子)などのディスクリートパッケージでサンプル出荷を開始する。