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昭和電工低欠陥ゲレードをさらに高品質化SiCエピウエハー(6イチン)第2世代品

机译:昭和电工高品质低缺陷凝胶SiC晶片(6 Itin)第二代产品

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摘要

昭和電工は、パヮー半道体材料の炭化ケィ素(Sic)ェピタキシャルウエハーの6イチン(150ミリメートル)品において、現在量産中の低欠陥グレード「ハイグレードエピ(HGE)」をさらに高品質化した第2世代製品「HGE-2G」を開発した。同製品の市場提供により、電気自動車(EV)や電鉄車両向けSiCインバータ普及への貢献を目指す。
机译:昭和电工进一步提高了低缺陷等级“高等级Epi(HGE)”的质量,该等级目前正批量生产超半导体材料的碳化硅(Sic)外延晶片的6英寸(150 mm)产品。开发了第二代产品“ HGE-2G”。通过向市场提供该产品,我们旨在促进电动汽车(EV)和电动铁路车辆的SiC逆变器的普及。

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    《电波新闻》 |2019年第17717期|4-4|共1页
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