日本昭和电工公司批量生产6英寸SiC外延片

摘要

日本昭和电工公司开发出功率半导体用的6英寸SiC外延片批量生产技术，己于2013年10月开始销售。该外延片是用CVD法在SiC单晶片上生成SiC外延膜。虽然用3-4英寸SiC外延片制造的功率半导体器件己开始搭载到电控用变频器数据中心的服务器电源、新能源分散电源、地铁车辆等，但使用大直径外延片不但可以降低器件的制造成本，还适合电动车、混合动力车转换电源电路用SiC-MOSFET（金属氧化膜半导体场效应晶体管）等功率器件的批量生产。至2014年上半年，该公司月产能将从1500片（换算成4英寸）增加至2500片。