東芝メモリ高速読み出し•書き込み128ギガビトツストレージクラスメモリー

摘要

東芝メモリは6日、新しいストレージクラスメモリー(SCM)である「XL—FLASH」を開発し、サンプル出荷を開始すると発表した。同製品は、96層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリーBiCS FLASHをセルのSLC技術を用いて、高速読み出し、書き込みを可能にした製品。9月から一部OEM顧客向けに128ギビツガトチップを用いた製品のサンプル出荷を開始する。量産は20年に開始する予定。