トランジスタの榦限を榦める研究

摘要

半導体集積回路の高機能・高性能化は基本素子であるトランジスタの微細化により実現されてきました。そのサイズもいよいよナノメートルスケールとなり、量子効果の出現など物理的な限界が近づき、性能を向上するために新たな材料・構造の導入が必要になっています。ナノ電子デバイス研究センターでは、トランジスタの極限的な高性能化を科学的根拠に基づいて追究するため、ナノレベルでの自己組織的構造制御と、原子レベル計測評価、高精度デバイス試作プロセス開発の三位一体で研究・開発を行っています。