机译:勘误至:Rhodotron-TT200 10 MeV电子束诱导的光核相互作用
Institute of Nuclear Science and Technology, P.O. Box 14395-836, Tehran, Iran;
Department of Physics, Faculty of Science, University of Isfahan, Isfahan, 81747-73441, Iran;
Department of Physics, Faculty of Science, University of Isfahan, Isfahan, 81747-73441, Iran;
Department of Nuclear Engineering, Faculty of Modern Sciences and Technologies, University of Isfahan, Isfahan, 81746-73441, Iran;
机译:Rhodotron-TT200 10 MeV电子束诱导的光核相互作用
机译:rhodotron-TT200 10 MeV电子束诱导的光子核相互作用
机译:在加速截面和电子注射器中的光束动力学在11cm波长范围内运行的电磁剖面和电子注射器,其能量为3和10 mev
机译:激光唤醒中的准单色电子束加速至300meV并引发光子核反应
机译:聚合物抗蚀剂的电子束感应电导率效应和电子束光刻中的电荷感应电子束偏转模拟。
机译:勘误表:De TeresaJ.M。等。室温和低温条件下聚焦电子/离子束诱导沉积的比较。微型机械201910799
机译:错误:rhodotron-TT200 10 MeV电子束诱导的光子核相互作用
机译:使用10meV碳微束的离子束诱导电荷收集(IBICC)集成电路研究