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机译:不同基板温度下CF_4 / H_2等离子体膜蚀刻膜在膜上蚀刻膜的影响
Nagoya Univ Ctr Low Temp Plasma Sci Nagoya Aichi 4648603 Japan;
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bonding structure; CF4; H-2 plasma; low-temperature etching; LPCVD SiN films; PECVD SiN film;
机译:基板温度对CF_4 / H_2等离子体的PECVD-SIN薄膜蚀刻速率的影响
机译:碳含量和等离子体功率对PECVD沉积氢化非晶碳化硅薄膜室温光致发光特性的影响
机译:用重复纳秒脉冲发光氢/甲烷排出等离子体制备的金刚石状碳膜膜硬度和氢含量的胶片硬度和氢含量的影响
机译:用CF_4 / H_2等离子体对温度对PECVD-SIN_X膜蚀刻速率的影响
机译:PECVD氢化非晶硅膜和HWCVD氢化非晶硅膜的质子NMR研究。
机译:在B(CH3)3存在下用氢等离子体处理通过RF-PECVD生长的非常薄的p型纳米晶Si膜
机译:衬底温度对pECVD制备氮化硅薄膜性能的影响