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机译:大气压等离子体沉积氧化铜涂层的来源:II –膜的表征
Leibniz Institute for Plasma Science and Technology (INP) Greifswald Germany;
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Leibniz Institute for Plasma Science and Technology (INP) Greifswald Germany;
Leibniz Institute for Plasma Science and Technology (INP) Greifswald Germany;
Leibniz Institute for Plasma Science and Technology (INP) Greifswald Germany;
atmospheric pressure plasma; copper oxide; deposition; nanostructures;
机译:常压等离子体沉积氧化铜涂层来源:I-等离子体表征
机译:大气压等离子体射流在大气压等离子体下增强电致变色有机镍氧化物薄膜的化学气相沉积
机译:大气压射流等离子体沉积聚合物上的抗菌富铜涂层
机译:大气压等离子体增强化学气相沉积(AP-PECVD)沉积大面积SiO_2薄膜:表面表征的生长机理
机译:通过大气压金属有机化学气相沉积(AP-MOCVD)开发用于氧化锌薄膜生长的新型单源前驱体,用于微电子器件。
机译:常压等离子体化学气相沉积法生长掺锌铜的抗菌氧化硅薄膜
机译:光纤上的间质硼掺杂的锐钛矿TiO2薄膜:大气压 - 等离子体增强化学气相沉积作为温度敏感基材上的功能氧化物涂层的键
机译:三(N,N-二苄基二硫代氨基甲酸)铟(III)的合成,表征及分解研究:铜膜上多晶CuIns2的化学喷雾沉积