机译:体积对表面对Shockley表面态的Rashba自旋分裂的贡献
Nihon Univ Coll Humanities & Sci Tokyo 1568550 Japan;
机译:对Rashba自旋分裂的散装与表面贡献
机译:地面系统对表面系统中Rashba分裂的贡献
机译:Tamm-shockley态存在的等离子,Rashba在贵金属表面分裂
机译:通过原位超快光谱法分离水分解光催化剂中的体积和表面贡献
机译:比较了放置在分层与整体填充技术中的II类树脂基复合材料(常规填充和整体填充)的牙龈边缘适应性和表面显微硬度。
机译:半导体表面上金属表面状态带的大Rashba自旋分裂
机译:表面与体积贡献巨大的Rashba分裂 铁电{\ alpha} -GeTe(111)半导体