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机译:通过离子束溅射沉积在SiO_x生长过程中Si的氧化:原位X射线光电子能谱与氧分压和沉积温度的关系
Nano Surface Group, Korea Research Institute of Standards and Science (KRISS), P.O. Box 102, Yusong, Taejon 305-600, Korea;
semiconductor surfaces; oxidation; deposition by sputtering; clean metal; semiconductor; and insulator surfaces;
机译:原位X射线光电子能谱研究p型Si衬底上射频氧化磁控溅射铟锡氧化物的初始沉积
机译:结合深度X射线光电子能谱和飞行时间二次离子质谱研究沉积压力和衬底偏压对磁控溅射生长的Ga掺杂ZnO薄膜的电性能和组成的影响
机译:通过简单地控制溅射沉积期间的生长温度和氧气分压,在ZnMGO膜中剪裁组成,带间隙和结构相位
机译:溅射二氧化铈薄膜的沉积和X射线光电子能谱研究
机译:通过铝的物理气相沉积和等离子体增强的三甲基硅烷化学气相沉积产生的薄膜的原位X射线光电子能谱分析。
机译:衬底温度和氧分压对脉冲激光沉积生长纳米晶铜氧化物薄膜性能的影响
机译:Pd / Al2O3催化剂上甲烷的部分氧化 ud近环境压力X射线光电子能谱法原位研究纳米颗粒